Dewletên Yekbûyî materyalên nîvconductor bi guheztina germî ya bilind pêşve dixe da ku germkirina çîpê bitepisîne.
Bi zêdebûna hejmara transîstorên di çîpê de, performansa hesabkirinê ya komputerê her ku diçe baştir dibe, lê dendika bilind di heman demê de gelek xalên germ jî çêdike.
Bêyî teknolojiya rêveberiya termîkî ya rast, ji bilî kêmkirina leza xebitandina pêvajoyê û kêmkirina pêbaweriyê, di heman demê de sedem hene ku pêşî li germbûna zêde digire û enerjiya zêde hewce dike, û pirsgirêkên kêmbûna enerjiyê diafirîne.Ji bo çareserkirina vê pirsgirêkê, Zanîngeha Kalîforniyayê, Los Angeles di sala 2018-an de maddeyek nîvconduktorek nû ya bi guheztina germî ya pir bilind pêşxist, ku ji arsenîdê bêqisûr û fosfîdê boronê pêk tê, ku dişibihe materyalên belavbûna germê yên heyî, wek mînak. elmas û karbîd silicon.rêjeyê, bi zêdetirî 3 qat gihandina termalê.
Di Hezîrana 2021-an de, Zanîngeha Kalîforniyayê, Los Angeles, materyalên nîvconductor yên nû bikar anî da ku bi çîpên komputerê yên bi hêz-bilind re hevûdu bike da ku bi serfirazî hilberîna germê ya çîpê bitepisîne, bi vî rengî performansa komputerê baştir bike.Tîma lêkolînê nîvconduktorê arsenîdê boronê xiste navbera çîp û pêlava germê de wekî têkeliyek ji germahiyê û çîpê da ku bandora belavbûna germê baştir bike, û lêkolîn li ser performansa rêveberiya termal a cîhaza rastîn kir.
Piştî girêdana substrata arsenîdê ya boronê bi valahiya enerjiyê ya berfireh a galium nîtrîdê nîvconductor, hate piştrast kirin ku guheztina germî ya navbera nîtrîd a galium/boron arsenide bi qasî 250 MW/m2K bû, û berxwedana termal a navbeynê gihîştiye astek pir piçûk.Substrata arsenîdê ya boronê bi çîpek transîstora bi tevgera elektronîkî ya pêşkeftî ya ku ji aluminum galium nitride / galium nitride pêk tê re tête hev kirin, û tê pejirandin ku bandora belavbûna germê ji ya almas an karbîd silicon pir çêtir e.
Tîma lêkolînê çîp bi kapasîteya herî zêde xebitand, û cîhê germ ji germahiya odeyê heya germahiya herî bilind pîva.Encamên ceribandinê nîşan didin ku germahiya germahiya almasê 137 ° C, germahiya karbîd a silicon 167 ° C, û germahiya arsenîd a boron tenê 87 ° C ye.Germbûna germî ya hêja ya vê navberê ji avahiya bandê fononîkî ya bêhempa ya arsenîdê boron û yekbûna navberê tê.Materyalên arsenîdê boron ne tenê xwedan guheztina germî ya bilind e, lê di heman demê de xwedan berxwedanek germî ya piçûk jî heye.
Ji bo bidestxistina hêza xebitandina cîhaza bilindtir ew dikare wekî pêlavek germê were bikar anîn.Tê payîn ku di pêşerojê de di pêwendiya bêtêlê ya dûr û dirêj de were bikar anîn.Ew dikare di warê elektronîkî ya hêza frekansa bilind an pakkirina elektronîkî de were bikar anîn.
Dema şandinê: Tebax-08-2022